享福是什么意思

Довжина в?льного проб?гу низькоенергетичних електрон?в. Вторинна електронна ем?с?я зазвичай ма? енерг?ю менше 50 еВ. Норма енергетичних втрат розс?ювання дуже низька, оск?льки б?льш?сть електрон?в вив?льняють накоплену п?кову енерг?ю нижче 5 еВ (Seiler, 1983).

Вторинна електронна ем?с?я - явище вибивання електрон?в ?з твердого т?ла пучками швидких заряджених частинок.

Вторинна електронна ем?с?я к?льк?стно характеризу?ться коеф?ц??нтом вторинно? електронно? ем?с?? σ.

$\sigma ={\frac {N}{N_{0}}}$,

де N - пот?к вибитих електрон?в, N₀ - пот?к заряджених частинок, що падають на поверхню твердого т?ла, який називають первинним.

Вторинна електронна ем?с?я зд?йсню?ться ?з поверхневого шару твердого т?ла, товщина якого не перевищу? 10^?6 см. К?льк?сть вибитих електрон?в залежить в?д енерг?? й типу частинок у первинному пучку. Вона спочатку росте ?з зб?льшенням швидкост? первинних частинок, пот?м досяга? максимуму, й урешт? пада? для дуже швидких частинок, як? проникають в т?ло на велику глибину, зв?дки електронам важко досягти поверхн?.

У максимум? коеф?ц??т вторинно? електронно? ем?с?? вищий за одиницю, тобто кожна швидка частинка вибива? б?льше, н?ж один вторинний електрон. Найкращими матер?алами для вторинно? електронно? ем?с?? ? нап?впров?дники й д?електрики.

Вторинна електронна ем?с?я використову?ться в електронних м?кроскопах ? в фотолектронних помножувачах.

Див. також

• Колективн? ефекти

Джерела

• Б?лий М.У. (1973). Атомна ф?зика. Ки?в: Вища школа.